6月10日，在廣州舉行的2013年新世紀LED峰會外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底大功率LED研發及產業化和大尺寸硅襯底LED技術的最新進展。

晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士

　　孫錢博士介紹，Haitz定律追求的是高性價比LED。市場需要的是一條追隨和突破Haitz定律的技術路線，它要有更大的襯底晶圓、更低的芯片工藝成本、更高的光效、更高的工作電流密度以及單位芯片面積更高的出光功率。硅襯底LED技術或將是最理想的選擇。

　　繼2012年6月12日發布硅襯底大功率LED芯片量產以來，在孫錢博士帶領的團隊的的努力下，晶能光電取得了大步的“芯”跳躍，硅襯底大功率LED外延生產水平可達到同爐外延片波長總體在7-8nm，爐與爐之間波長重復性穩定在±2nm,同時片內波長STD約1.3nm且翹曲度小。外延水平的提升的同時，硅襯底大功率LED芯片性能得到了飛速提升。目前，45mil芯片量產水平裸芯光強500mW，平均電壓2.9-3V，反向漏電流小于0.1uA;封裝成冷白光效可達到140lm/W@350mA，性能與國際一流大廠大功率LED芯片水平相當。55mil 芯片光效更可達到150lm/W@350mA，比去年提升幅度近20%。同時，硅襯底大功率LED芯片在900mA電流，55℃下老化1800小時無光衰，顯示了良好的可靠性。

　　孫錢博士同時介紹了6寸硅襯底大功率LED研發的最新進展。據介紹，晶能光電已開發出的6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及芯片工藝技術制造的45mil芯片光效已達到125lm/W，并且將于明年實現6寸硅襯底45mil LED芯片的批量生產，光效達140lm/W以上。

　　晶能光電是全球硅襯底LED技術和產業化的引領者。硅襯底大功率LED芯片投放市場以來，其芯片性能進步神速，市場反響強烈，優良的可靠性和良好的性價比得到越來越多客戶的認可。在本次光亞展中，運用硅襯底大功率LED芯片的硅襯底模組首次亮相。硅襯底模組以3.5元/W、質量五年的高性價比受到了同行的廣泛關注。

　　【關于孫錢博士】

　　2009年獲美國耶魯大學博士學位，榮獲耶魯工學院最高獎和國家優秀自費留學生獎學金。

　　2011年入選中組部首批國家“青年千人計劃”，晶能光電有限公司硅襯底氮化鎵LED研發副總裁，帶領團隊成功研發出硅襯底氮化鎵基垂直結構大功率LED的外延及芯片技術，并于2012年6月在全球率先量產硅襯底上GaN基大功率LED，入選國際半導體照明2012年度新聞。

　　十多年來一直從事氮化物半導體材料生長與器件制備的研發，包括納米多孔GaN的低成本制備及其應用，相關專利成果已許可給國際某LED廠家用于提高LED產品的光效。迄今為止共發表近50篇SCI收錄的學術論文，總引用逾430次，參與編寫了英文專著一章，曾多次應國際會議邀請作特邀報告，應邀為多家國際一流學術期刊審稿人，擁有多項美國和中國發明專利。目前作為負責人承擔國家科技部863計劃課題等科研任務。

　　【關于硅襯底大功率LED芯片】

　　晶能光電硅襯底大功率LED藍光芯片創造性地使用硅代替藍寶石或碳化硅作為襯底制造氮化鎵基LED器件，結合了具有自主知識產權的高效GaN外延技術和芯片技術，是目前全球唯一商品化的硅襯底大功率產品。具有完整的自主知識產權保護，產品可銷往國際市場。

　　硅襯底大功率LED芯片可廣泛應用于便攜式照明、LCD背光、戶內照明和戶外照明。目前已經成功應用于路燈、球泡燈、手電筒、礦燈頭燈等室內外中高端照明產品。具有以下特點：

　　1、采用銀反射鏡電極，電流分布更均勻，可用大電流驅動。

　　2、硅襯底比藍寶石襯底散熱好。

　　3、具有朗伯發光形貌，白光出光均勻，容易二次配光。

　　4、打線少，可靠性高。

　　5、可采用導電銀膠，焊錫或共晶焊固晶。

　　6、硅襯底LED芯片單面出光，且分布均勻，適合做熒光粉直涂的直接白光芯片，降低封裝成本。

　　7、適合于陶瓷基板封裝，使大功率封裝容易自動化。

　　【關于晶能光電】

　　晶能光電是由金沙江創業投資基金牽頭，聯合國際頂尖級創業投資基金Mayfield fund,AsiaVest，IFC等共同投資設立的，全球第一家也是目前唯一一家專業從事硅襯底GaN基LED外延材料與器件研究與生產的高科技企業。目前注冊資金9300萬美元，總投資超過10億元。

　　晶能光電擁有的硅襯底氮化鎵基LED材料與器件技術是一項改寫半導體照明歷史的顛覆性新技術，具有原創技術產權，迄今為止已申請或獲得國際國內各種專利200多項。更多詳情請點擊http://www.lnbxjj.cn