紫外LED主要分為：UVA LED（320nm-410nm），UVB（280nm-320nm）,UVC（200nm-275nm）。在目前的紫外LED市場中，UVA LED占有高達90%的份額，主要應用領域包括UV膠水、薄膜、油墨等涂料的光固化、生物誘導、空氣凈化等等。和藍光LED一樣，UVA LED也是基于InGaN多量子阱壘有源區(qū)。但隨著UVA波長變短，量子阱內的In組分急劇降低，依賴于In富集效應的光電轉換效率會快速遞減，而且還面臨芯片內近紫外光吸收損失、老化光衰大、抗靜電能力差等問題。

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晶能光電充分拓展了硅襯底垂直LED芯片襯底易剝離、出光效率高等優(yōu)勢，推出了高光效、抗靜電能力強、高可靠性的UVA LED芯片系列。在外延方面，基于原創(chuàng)的硅襯底GaN技術，采用了創(chuàng)新的復合應力調控和位錯湮滅結構，生長高質量、低吸光的 nAlGaN電流擴展層。針對UVA LED對非輻復合中心濃度更敏感的特點，開發(fā)了載流子高局域化、低應變狀態(tài)的量子阱壘結構。突破了高Al組分材料中空穴濃度低的瓶頸，并導入獨特的Mg原子逆擴展阻擋技術，提升空穴注入效率，降低芯片電壓，進一步改善了光衰。芯片方面，晶能光電利用硅襯底濕法無損剝離的優(yōu)勢，結合高反射率的ODR結構、選擇性粗化技術、和高可靠性的鈍化工藝，成功實現(xiàn)了高良率、高取光效率的垂直結構硅襯底UVA LED芯片量產。